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技术参数/电源电压(DC): 38.0 V
技术参数/输出电流: ≤80 mA
技术参数/供电电流: 3.1 mA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/针脚数: 8
技术参数/耗散功率: 0.725 W
技术参数/共模抑制比: 70 dB
技术参数/输入补偿漂移: 2.40 µV/K
技术参数/带宽: 10 MHz
技术参数/转换速率: 40.0 V/μs
技术参数/增益频宽积: 9.4 MHz
技术参数/输入补偿电压: 1.1 mV
技术参数/输入偏置电流: 20 pA
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/增益带宽: 10 MHz
技术参数/耗散功率(Max): 725 mW
技术参数/共模抑制比(Min): 70 dB
技术参数/电源电压(Max): 19 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Each
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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TLE2082CD
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
JFET 输入运算放大器，Excalibur TLE 系列 与早期系列的 JFET 输入放大器相比，Texas Instruments Excalibur 系列 BiFET 运算放大器具有显著改进。 TLE2060 系列是低功率 JFET 输入运算放大器，与早期 TL060 和 TL030 BiFET 系列相比，带宽加倍，但功耗无显著增加；此外，它们与 TL030/TL060 设备相比噪音更低。 与早期 TL070 和 TL080 系列相比，TLE2070 和 TLE2080 系列的带宽超过其两倍，转换速率是其三倍，且噪音级别更低。 它们还可在高达 ±19V 的更高电源电压下工作。 ### 运算放大器，Texas Instruments
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TLE2082CDR
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
神剑高速JFET输入运算放大器 EXCALIBUR HIGH-SPEED JFET-INPUT OPERATIONAL AMPLIFIERS
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