技术参数/额定电压(DC): 30.0 V
技术参数/额定电流: 3.90 A
技术参数/针脚数: 8
技术参数/漏源极电阻: 53 mΩ
技术参数/极性: N-Channel, P-Channel
技术参数/耗散功率: 2 W
技术参数/阈值电压: 3 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/漏源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.90 A
技术参数/输入电容(Ciss): 235pF @10V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 900 mW
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2 W
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/长度: 5 mm
外形尺寸/宽度: 4 mm
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT |
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A，3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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SI4532DY
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC-8 |
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A，3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
|
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SI4532DY
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
ON Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4532DY, 3.5 A，3.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
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SI4532DY_NL
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | SOIC |
Dual N & P Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
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ZXMC4559DN8TA
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Diodes Zetex (捷特科) | 功能相似 | SOIC-8 |
ZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-SOIC-8
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ZXMC4559DN8TA
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Zetex | 功能相似 | SOIC-8 |
ZXMC4559DN8 系列 60 V 0.55 Ohm N/P 沟道 双 增强模式 MOSFET-SOIC-8
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