技术参数/通道数: 1
技术参数/漏源极电阻: 7 Ω
技术参数/耗散功率: 1 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60 V
技术参数/上升时间: 7 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 150pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 6 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): 55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.21 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TP0606N3-G
|
Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
晶体管, MOSFET, P沟道, -320 mA, -60 V, 3 ohm, -10 V, -2.4 V
|
||
TP0606N3-G
|
Supertex (超科) | 类似代替 | TO-92-3 |
晶体管, MOSFET, P沟道, -320 mA, -60 V, 3 ohm, -10 V, -2.4 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价