技术参数/耗散功率: 740 mW
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/上升时间: 4 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 60pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 5 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 740mW (Ta)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/长度: 5.21 mm
外形尺寸/宽度: 4.19 mm
外形尺寸/高度: 5.33 mm
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
TP2104N3-G
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Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
Supertex P 通道增强模式 MOSFET 晶体管 Microchip 的 Supertex 系列 P 通道增强模式（常闭）DMOS FET 晶体管适合各种需要低阈值电压、高击穿电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度的开关和放大应用。 ### MOSFET 晶体管，Microchip
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