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描述: SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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技术参数/漏源极电阻: 4.50 mΩ

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 36.0 W

技术参数/漏源击穿电压: 25.0 V

技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): -64.0 A to 64.0 A

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: TO-252

外形尺寸/封装: TO-252

其他/产品生命周期: Unknown

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

海关信息/香港进出口证: NLR

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