技术参数/耗散功率: 1W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V
技术参数/输入电容(Ciss): 190pF @20V(Vds)
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-92-3
外形尺寸/封装: TO-92-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
VN0300L-G
|
Microchip (微芯) | 类似代替 | TO-92-3 |
晶体管, MOSFET, 增强模式, N沟道, 640 mA, 30 V, 1.2 ohm, 10 V, 2.5 V
|
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