技术参数/漏源极电阻: 33.0 mΩ
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 2.00 W
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/上升时间: 32 ns
技术参数/下降时间: 45 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2000 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOP
外形尺寸/封装: SOP
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI4966DY-T1-E3
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1
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SI4966DY-T1-E3
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VISHAY (威世) | 功能相似 | SOIC-8 |
MOSFET, Power; Dual N-Ch; VDSS 20V; RDS(ON) 0.019Ω; ID +/-7.1A; SO-8; PD 2W; VGS +/-1
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SI4967DY
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SO |
Transistor,
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SI4967DY
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | SO |
Transistor,
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