技术参数/漏源极电阻: 2.50 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 2.50 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/漏源击穿电压: 600 V
技术参数/栅源击穿电压: ±30.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 2.80 A
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-252
外形尺寸/封装: TO-252
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQD5N60C
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | DPAK |
600V N沟道MOSFET 600V N-Channel MOSFET
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SSR4N60BTM
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-252-3 |
N沟道 600V 2.8A
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STD4NK60ZT4
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-252-3 |
STMICROELECTRONICS STD4NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 2.3 V
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