技术参数/漏源极电阻: 15.0 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 1.40 W
技术参数/漏源击穿电压: 20.0 V
技术参数/栅源击穿电压: ±12.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.80 A
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: TSSOP
外形尺寸/封装: TSSOP
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
SI6466DQ-T1
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TSSOP |
Power Field-Effect Transistor, 7.8A I(D), 20V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TSSOP-8
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