技术参数/频率: 200 MHz
技术参数/额定电压(DC): 40.0 V
技术参数/额定电流: 600 mA
技术参数/极性: PNP, P-Channel
技术参数/耗散功率: 650 mW
技术参数/集电极击穿电压: 60.0 V (min)
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40.0V (min)
技术参数/集电极最大允许电流: 0.6A
技术参数/直流电流增益(hFE): 100
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1900 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 14
封装参数/封装: DIP
外形尺寸/封装: DIP
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/HTS代码: 85412900951
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
|---|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价