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描述: VISHAY SIHB33N60E-GE3 场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 33A, TO-263-3
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tube
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.083 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 278 W

技术参数/阈值电压: 2 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/输入电容(Ciss): 3508pF @100V(Vds)

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 278 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-263-3

外形尺寸/长度: 10.67 mm

外形尺寸/宽度: 9.65 mm

外形尺寸/高度: 4.83 mm

外形尺寸/封装: TO-263-3

其他/包装方式: Tube

其他/制造应用: Industrial, Lighting, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Portable Devices, Computers & Computer Peripherals, Communications & Networking, Power Management

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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