技术参数/频率: 8 MHz
技术参数/耗散功率: 30 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 120 @500mA, 5V
技术参数/额定功率(Max): 30 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 30000 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSD526Y
|
ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | TO-220-3 |
NPN外延硅晶体管功率放大器的应用 NPN Epitaxial Silicon Transistor Power Amplifier Applications
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