技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 150 mA
技术参数/极性: NPN
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 0.15A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 120 @1mA, 6V
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 700
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-226-3
外形尺寸/封装: TO-226-3
物理参数/工作温度: 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
KSC1815YTA
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC1815YTA 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 400 mW, 150 mA, 120 hFE
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KSC1815YTA
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-226-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR KSC1815YTA 单晶体管 双极, NPN, 50 V, 80 MHz, 400 mW, 150 mA, 120 hFE
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SC18
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Vishay Dale (威世达勒) | 功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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SC18
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-92 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.15A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
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