技术参数/输出电流: 60 mA
技术参数/供电电流: 800 µA
技术参数/电路数: 2
技术参数/通道数: 2
技术参数/共模抑制比: 65 dB
技术参数/输入补偿电压: 2.9 mV
技术参数/输入偏置电流: 45 nA
技术参数/工作温度(Max): 70 ℃
技术参数/工作温度(Min): 0 ℃
技术参数/共模抑制比(Min): 65 dB
技术参数/电源电压(Max): 32 V
技术参数/电源电压(Min): 3 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: 0℃ ~ 70℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
LM358D
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358D
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Signetics | 功能相似 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358D
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Philips (飞利浦) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358D
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Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 | SOP |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358D
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358D
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 |
TEXAS INSTRUMENTS LM358D 芯片, 运算放大器, 700KHZ, 0.3V/US, SOIC-8
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LM358DG
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SOIC-8 |
ON SEMICONDUCTOR LM358DG 运算放大器, 双路, 1 MHz, 2个放大器, 0.6 V/µs, 3V 至 32V, SOIC, 8 引脚
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LM358M
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOIC-8 |
LM358系列 2 mV 输入失调电压 双 运算放大器 - SOIC-8
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LM358M
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOIC-8 |
LM358系列 2 mV 输入失调电压 双 运算放大器 - SOIC-8
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LM358M
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Estek Electronics (伊泰克电子) | 类似代替 |
LM358系列 2 mV 输入失调电压 双 运算放大器 - SOIC-8
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LM358MX
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Fairchild (飞兆/仙童) | 类似代替 | SOP-8 |
ON Semiconductor 运算放大器 LM358MX 双, 3 → 32 V单电源电压, 8引脚 SOP封装
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