技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 5 W
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100
技术参数/最大电流放大倍数(hFE): 300
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): 65 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-5-3
外形尺寸/封装: TO-5-3
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
符合标准/军工级: Yes
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | 205AA |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 | TO-5-3 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Central Semiconductor | 功能相似 | TO-205 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Semicoa | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Multicomp | 功能相似 | TO-39 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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CDIL | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Semicoa Semiconductor | 功能相似 | TO-5 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Boca Semiconductor (博卡半导体) | 功能相似 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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2N3019
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-39 |
NTE ELECTRONICS 2N3019 收发器芯片, NPN, 前置放大器驱动器
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JANTX2N3019
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-5-3 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
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JANTX2N3019
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Raytheon (雷神) | 功能相似 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39,
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