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描述: SILICON 400毫瓦齐纳二极管 SILICON 400 mW ZENER DIODES
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封 装: DO-35
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包装方式: Bag
标准包装数: 1
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技术参数/容差: ±5 %

技术参数/正向电压: 1.1 V

技术参数/耗散功率: 500 mW

技术参数/测试电流: 20 mA

技术参数/稳压值: 9.1 V

技术参数/额定功率(Max): 500 mW

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 2

封装参数/封装: DO-35

外形尺寸/长度: 5.08 mm

外形尺寸/封装: DO-35

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Bag

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
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1N757A 1N757A Microsemi (美高森美) 功能相似 DO-35
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1N757A 1N757A EIC 功能相似 DO-35
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1N757A 1N757A TI (德州仪器) 功能相似
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1N757A 1N757A Multicomp 功能相似 DO-204AH
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1N757A 1N757A Panjit (强茂) 功能相似 DO-35
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