| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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2N6764
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,
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2N6764
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TT Electronics Resistors | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,
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2N6764
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-204 |
Power Field-Effect Transistor, 38A I(D), 100V, 0.055ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE,
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
N-CH 100V 38A
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IRF150
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | BFM |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
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IRF150
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
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IRF150
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
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IRF150
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-3 |
HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE
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IRF151
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
N沟道功率MOSFET ， 40 A， 60 V / 100 V N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
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IRF151
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Samsung (三星) | 功能相似 |
N沟道功率MOSFET ， 40 A， 60 V / 100 V N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
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IRF151
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IXYS Semiconductor | 功能相似 |
N沟道功率MOSFET ， 40 A， 60 V / 100 V N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V
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