技术参数/耗散功率: 0.6 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 100 @150mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 600 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 600 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 6
封装参数/封装: SMD-6
外形尺寸/封装: SMD-6
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N5794U
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TT Electronics | 完全替代 |
NPN硅晶体管双 NPN SILICON DUAL TRANSISTOR
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Aeroflex (艾法斯) | 完全替代 |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin Case U
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JANTXV2N5794U
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | U |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 6Pin Case U
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