技术参数/频率: 250 MHz
技术参数/耗散功率: 0.5 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 40 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 20 @1A, 1.5V
技术参数/额定功率(Max): 500 mW
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-46-3
外形尺寸/封装: TO-46-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Bag
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Motorola (摩托罗拉) | 完全替代 |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46
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JAN2N3737
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-46-3 |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46
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JANTX2N3737
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | TO-46-3 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 40V V(BR)CEO, 1Element, NPN, Silicon, TO-46, HERMETIC SEALED, METAL CAN-3
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JANTXV2N3737
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Microchip (微芯) | 完全替代 |
Trans GP BJT NPN 40V 1.5A 3Pin TO-46
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