技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 1.2 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/集电极最大允许电流: 5A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25 @1A, 5V
技术参数/额定功率(Max): 1.2 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1200 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-5
外形尺寸/封装: TO-5
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Solitron Devices | 完全替代 | 3 |
NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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JANTXV2N5667
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Microsemi (美高森美) | 完全替代 | TO-5 |
NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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JANTXV2N5667
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Aeroflex (艾法斯) | 完全替代 | TO-205 |
NPN硅功率开关晶体管 NPN POWER SILICON SWITCHING TRANSISTOR
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