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型号: JAN2N6299
描述: PNP达林顿功率硅晶体管 PNP DARLINGTON POWER SILICON TRANSISTOR
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封 装: TO-66
货 期:
包装方式: Tray
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率: 75 W

技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 80 V

技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 750 @4A, 3V

技术参数/额定功率(Max): 64 W

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -65 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 64000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-66

外形尺寸/封装: TO-66

物理参数/工作温度: -65℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tray

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准:

海关信息/ECCN代码: EAR99

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