技术参数/极性: NPN
技术参数/耗散功率: 2.5 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 300 V
技术参数/集电极最大允许电流: 2A
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 25 @1A, 10V
技术参数/额定功率(Max): 2.5 W
技术参数/工作温度(Max): 200 ℃
技术参数/工作温度(Min): -65 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 2500 mW
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-66
外形尺寸/封装: TO-66
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tray
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N3771G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N3771G. 双极晶体管
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2N5302G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-204-2 |
ON SEMICONDUCTOR 2N5302G 单晶体管 双极, 通用, NPN, 60 V, 2 MHz, 200 W, 30 A, 2 hFE
|
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