技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 300 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 26A
技术参数/上升时间: 33 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2740pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 21 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 300W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXTA26P20P
|
IXYS Semiconductor | 完全替代 | TO-263-3 |
D2PAK P-CH 200V 26A
|
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IXTH26P20P
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-247-3 |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3Pin(3+Tab) TO-247
|
||
IXTQ26P20P
|
IXYS Semiconductor | 功能相似 | TO-3-3 |
P沟道 200V 26A
|
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