技术参数/极性: N-CH
技术参数/耗散功率: 960W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 900 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 40A
技术参数/上升时间: 50 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 14000pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 960 W
技术参数/下降时间: 46 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 960W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-264-3
外形尺寸/封装: TO-264-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXFB44N100Q3
|
IXYS Semiconductor | 类似代替 | TO-264-3 |
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Q3 系列 HiperFET™ Power MOSFET 的 IXYS Q3 类极其适用于硬切换和谐振模式应用，可提供带有卓越强度的低栅极电荷。 该设备包含一个快速本质二极管且提供各种工业标准封装，包括隔离类型，带有额定值高达 1100V 和 70A。 典型应用包括直流－直流转换器、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、直流斩波器、温度和照明控制。 快速本质整流器二极管 低 RDS（接通）和 QG（栅极电荷） 低本质栅极电阻 工业标准封装 低封装电感 高功率密度 ### MOSFET 晶体管，IXYS IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
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