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型号: IXFH12N100F
描述: IXYS SEMICONDUCTOR IXFH12N100F 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 12 A, 1 kV, 1.05 ohm, 10 V, 3 V
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封 装: TO-3-3
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技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 1.05 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 300 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 1 kV

技术参数/上升时间: 9.8 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 2700pF @25V(Vds)

技术参数/下降时间: 12 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 300W (Tc)

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-3-3

外形尺寸/封装: TO-3-3

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/制造应用: 电源管理, Industrial, Power Management, 工业

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/06/15

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