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型号: IXDD630YI
描述: 低边 IGBT MOSFET 灌:30A 拉:30A
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封 装: TO-263-5
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/上升/下降时间: 11 ns

技术参数/输出接口数: 1

技术参数/上升时间: 20 ns

技术参数/输出电流(Max): 30 A

技术参数/下降时间: 18 ns

技术参数/下降时间(Max): 18 ns

技术参数/上升时间(Max): 20 ns

技术参数/工作温度(Max): 125 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/电源电压: 12.5V ~ 35V

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 6

封装参数/封装: TO-263-5

外形尺寸/封装: TO-263-5

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

海关信息/ECCN代码: EAR99

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