技术参数/上升/下降时间: 9ns, 8ns
技术参数/上升时间: 16 ns
技术参数/下降时间: 14 ns
技术参数/电源电压: 4.5V ~ 30V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IXDN602SIATR
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Clare | 类似代替 | SOIC-8 |
IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 双 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8
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IXDN602SITR
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Clare | 类似代替 | SOIC-8 |
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A
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