技术参数/额定电压(DC): 60.0 V
技术参数/额定电流: 72.0 A
技术参数/漏源极电阻: 12 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/产品系列: IRFZ48VS
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/漏源击穿电压: 60.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 72.0 A
技术参数/上升时间: 200 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: D2PAK-263
外形尺寸/封装: D2PAK-263
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Rail, Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2014/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ48VS
|
Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-263-3 |
D2PAK N-CH 60V 72A
|
||
IRFZ48VS
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-263 |
D2PAK N-CH 60V 72A
|
||
STB55NF06T4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
|
||
STB60NF06LT4
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-263-3 |
STMICROELECTRONICS STB60NF06LT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 60 V, 16 mohm, 5 V, 1 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价