技术参数/耗散功率: 3.7W (Ta), 150W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 60 V
技术参数/输入电容(Ciss): 1900pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.7 W
技术参数/耗散功率(Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFZ44SPBF
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
IRFZ44STRRPBF
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-263-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
IRFZ44STRRPBF
|
Vishay Intertechnology | 完全替代 | TO-252-3 |
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
|
||
SIHFZ44S-GE3
|
Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-263 |
SIHFZ44S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 50A, 60V, 2+Tab-Pin TO-263
|
||
SIHFZ44S-GE3
|
Vishay Siliconix | 功能相似 | D2PAK |
SIHFZ44S-GE3 N-channel MOSFET Transistor, 50A, 60V, 2+Tab-Pin TO-263
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价