技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 40W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.6A
技术参数/输入电容(Ciss): 350pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 40W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/封装: TO-251-3
外形尺寸/封装: TO-251-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准:
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU9120
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International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | Through Hole |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
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IRFU9120
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | 3 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
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IRFU9120
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Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
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IRFU9120
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Harris | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 6.6A I(D), 100V, 0.48ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251AA, LEAD FREE, PLASTIC, IPAK-3
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IRFU9120NPBF
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-251-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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IRFU9120NPBF
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Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-251-3 |
P 通道功率 MOSFET 最大 7A，Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
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