技术参数/耗散功率: 2.5W (Ta), 25W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 400 V
技术参数/输入电容(Ciss): 170pF @25V(Vds)
技术参数/耗散功率(Max): 2.5W (Ta), 25W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-251-3
外形尺寸/封装: TO-251-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFU310
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International Rectifier (国际整流器) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
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IRFU310
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
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IRFU310
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VISHAY (威世) | 完全替代 | IPAK |
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
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IRFU310
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Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-251-3 |
MOSFET N-CH 400V 1.7A I-PAK
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Samsung (三星) | 功能相似 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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KEC(Korea Electronics) (KEC株式会社) | 功能相似 | 3 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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U310
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Vishay Semiconductor (威世) | 功能相似 | TO-206 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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U310
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Calogic | 功能相似 | 500 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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U310
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Intersil (英特矽尔) | 功能相似 | TO-52 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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U310
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Vishay Siliconix | 功能相似 | SOT-23 |
Power Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, IPAK-3
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