技术参数/额定电压(DC): 800 V
技术参数/额定电流: 5.40 A
技术参数/额定功率: 150 W
技术参数/漏源极电阻: 2 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 800 V
技术参数/漏源击穿电压: 800 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 5.40 A
技术参数/上升时间: 36 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1900pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 150 W
技术参数/下降时间: 32 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 150 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-247-3
外形尺寸/长度: 15.87 mm
外形尺寸/宽度: 5.31 mm
外形尺寸/高度: 20.7 mm
外形尺寸/封装: TO-247-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
其他/最小包装: 500
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
STW8NK80Z
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-247-3 |
STMICROELECTRONICS STW8NK80Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 800 V, 1.5 ohm, 10 V, 3.75 V
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价