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型号: IRFPG50PBF
描述: MOSFET, Power; N-Ch; VDSS 1000V; RDS(ON) 2Ω; ID 6.1A; TO-247AC; PD 190W; VGS +/-20V
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封 装: TO-247
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技术参数/漏源极电阻: 2 Ω

技术参数/耗散功率: 190 W

技术参数/输入电容: 2800pF @25V

技术参数/漏源极电压(Vds): 1000 V

技术参数/漏源击穿电压: 1000 V

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-247

外形尺寸/封装: TO-247

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRFPG40PBF IRFPG40PBF VISHAY (威世) 类似代替 TO-247-3
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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IRFPG40PBF IRFPG40PBF Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 TO-247-3
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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IRFPG40PBF IRFPG40PBF International Rectifier (国际整流器) 类似代替
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
IRFPG40PBF IRFPG40PBF Vishay Siliconix 类似代替 TO-247-3
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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IRFPG40PBF IRFPG40PBF Vishay Precision Group 类似代替 TO-247
N 通道 MOSFET,600V 至 1000V,Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor
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IRFPG50 IRFPG50 IRF 完全替代 TO-247-3
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
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IRFPG50 IRFPG50 TT Electronics/IRC 完全替代
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
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IRFPG50 IRFPG50 International Rectifier (国际整流器) 完全替代 TO-247
MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
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