技术参数/额定电压(DC): 600 V
技术参数/额定电流: 6.20 A
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 125 W
技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 6.20 A
技术参数/上升时间: 20 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1100pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 125 W
技术参数/下降时间: 17 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 125 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 9.01 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tube
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IRFBC40LC
|
Vishay Siliconix | 完全替代 | TO-220-3 |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
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IRFBC40LC
|
Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 |
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO-220AB
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MTP6N60E
|
Motorola (摩托罗拉) | 功能相似 |
TO-220 N-CH 600V 6A
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STP5NK60Z
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP5NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 3.75 V
|
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STP6N62K3
|
ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-220-3 |
STMICROELECTRONICS STP6N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
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