技术参数/额定电压(DC): 1.00 kV
技术参数/额定电流: 3.10 A
技术参数/额定功率: 125 W
技术参数/针脚数: 3
技术参数/漏源极电阻: 5 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 125 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 980pF @25V
技术参数/漏源极电压(Vds): 1 kV
技术参数/漏源击穿电压: 1000 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 3.10 A
技术参数/上升时间: 25 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 980pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 20 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 125 W
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-220-3
外形尺寸/长度: 10.41 mm
外形尺寸/宽度: 4.7 mm
外形尺寸/高度: 9.01 mm
外形尺寸/封装: TO-220-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/包装方式: Box
其他/制造应用: Audio, Industrial, 音频, 工业, Signal Processing, 信号处理
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Philips (飞利浦) | 功能相似 |
PowerMOS transistor
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IRFBG30
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IRF | 类似代替 |
Trans MOSFET N-CH 1kV 3.1A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 1kV 3.1A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 1...
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IRFBG30
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Vishay Siliconix | 类似代替 | TO-220-3 |
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IRFBG30
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VISHAY (威世) | 类似代替 | TO-220 |
Trans MOSFET N-CH 1kV 3.1A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 1kV 3.1A 3Pin(3+Tab) TO-220AB Trans MOSFET N-CH 1...
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IRFBG30
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International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 |
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