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型号: IRF7389PBF
描述: N/P 通道功率 MOSFET,Infineon Infineon 双功率 MOSFET 集成了两个 HEXFET® 设备,以便在板空间要求严格的高元件密度设计中提供经济实惠节省空间的切换解决方案。 提供各种封装选项,设计人员可以选择双 N/P 通道配置。 ### MOSFET 晶体管,Infineon (IR) Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: SOIC-8
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定功率: 2.5 W

技术参数/针脚数: 8

技术参数/漏源极电阻: 0.023 Ω

技术参数/极性: N-Channel, P-Channel

技术参数/耗散功率: 2.5 W

技术参数/阈值电压: 1 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 7.3A/5.3A

技术参数/热阻: 50℃/W (RθJA)

技术参数/输入电容(Ciss): 650pF @25V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 2.5 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.5 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/长度: 5 mm

外形尺寸/宽度: 4 mm

外形尺寸/高度: 1.5 mm

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

其他/制造应用: Power Management, 电源管理

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Infineon 类似代替 SOP-8
INFINEON IRF7319TRPBF 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 30 V, 0.023 ohm, 10 V, 1 V

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