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型号: IRF510STRLPBF
描述: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/通道数: 1

技术参数/耗散功率: 43W (Tc)

技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V

技术参数/输入电容(Ciss): 180pF @25V(Vds)

技术参数/耗散功率(Max): 43W (Tc)

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/封装: TO-263-3

外形尺寸/长度: 10.67 mm

外形尺寸/宽度: 9.65 mm

外形尺寸/高度: 4.83 mm

外形尺寸/封装: TO-263-3

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Unknown

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册
IRF510S IRF510S Vishay Siliconix 类似代替 TO-263-3
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
PDF
IRF510S IRF510S International Rectifier (国际整流器) 类似代替
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRF510S IRF510S VISHAY (威世) 类似代替 TO-263
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRF510SPBF IRF510SPBF VISHAY (威世) 功能相似 TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Siliconix 功能相似 TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
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IRF510SPBF IRF510SPBF International Rectifier (国际整流器) 功能相似 D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
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IRF510SPBF IRF510SPBF Vishay Intertechnology 功能相似 D2PAK
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT, TO-263, D2PAK-3
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Intertechnology 功能相似
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Semiconductor (威世) 功能相似 TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
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IRF510STRLPBF IRF510STRLPBF Vishay Siliconix 功能相似 TO-263-3
Power Field-Effect Transistor, 5.6A I(D), 100V, 0.54Ω, 1Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF International Rectifier (国际整流器) 类似代替
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Siliconix 类似代替 TO-263-3
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF VISHAY (威世) 类似代替 TO-252-3
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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IRF510STRRPBF IRF510STRRPBF Vishay Semiconductor (威世) 类似代替 TO-263-3
MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
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