技术参数/额定电压(DC): 500 V
技术参数/额定电流: 12.0 A
技术参数/漏源极电阻: 400 mΩ
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 150 W
技术参数/产品系列: IRF450
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 500 V
技术参数/漏源击穿电压: 500 V
技术参数/栅源击穿电压: ±20.0 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 12.0 A
技术参数/输入电容(Ciss): 2700pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 150 W
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 2
封装参数/封装: TO-204
外形尺寸/封装: TO-204
物理参数/重量: 10.0 g
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Bulk
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
2N6770E3
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Microsemi (美高森美) | 功能相似 |
N-CH 500V 12A
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ST Microelectronics (意法半导体) | 功能相似 | TO-3 |
INFINEON IRF450.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | 3 |
INFINEON IRF450.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRF450
|
SEME-LAB | 功能相似 |
INFINEON IRF450.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
|
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IRF450
|
International Rectifier (国际整流器) | 功能相似 | TO-204 |
INFINEON IRF450.. 晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 500 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
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IRF450PBF
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Infineon (英飞凌) | 功能相似 | TO-3 |
TO-3 N-CH 500V 12A
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