技术参数/电源电压(DC): 10.0V (min)
技术参数/输出接口数: 2
技术参数/耗散功率: 625 mW
技术参数/下降时间(Max): 100 ns
技术参数/上升时间(Max): 150 ns
技术参数/工作温度(Max): 125 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 625 mW
技术参数/电源电压: 10V ~ 20V
技术参数/电源电压(Max): 16.8 V
技术参数/电源电压(Min): 10 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/高度: 1.5 mm
外形尺寸/封装: SOIC-8
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 125℃
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IFC | 类似代替 |
INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
|
|||
|
|
IRF | 类似代替 |
INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
|
|||
IR21531SPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | SOIC-8 |
INFINEON IR21531SPBF 双路驱动器芯片, MOSFET, 半桥, 10V-16.8V电源, 660ns延迟, SOIC-8
|
||
LM5109AMA/NOPB
|
National Semiconductor (美国国家半导体) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM5109AMA/NOPB 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
|
||
LM5109AMA/NOPB
|
TI (德州仪器) | 功能相似 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LM5109AMA/NOPB 驱动器芯片, MOSFET, 驱动器, 半桥, 8V-14V电源, 1A输出, 30ns延迟, SOIC-8
|
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价