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型号： IPS521GTR

描述： P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

品牌： Infineon (英飞凌)

封装： SOIC-8

货期：

包装方式： Tape & Reel (TR)

标准包装数： 1

10+:

￥ 8.7504

100+:

￥ 8.3129

500+:

￥ 8.0212

1000+:

￥ 8.0066

2000+:

￥ 7.9483

5000+:

￥ 7.8754

7500+:

￥ 7.8170

10000+:

￥ 7.7879

价格	￥ 8.7504	￥ 8.3129	￥ 8.0212	￥ 8.0066	￥ 7.9483
起批量	10+	100+	500+	1000+	2000+

运费：有货运费价格：¥13.00

数量：

库存(5628) 起订量(10)

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技术参数/输出接口数: 1

技术参数/输出电流: 1.6 A

技术参数/供电电流: 0.6 mA

技术参数/耗散功率: 1 W

技术参数/输出电流(Max): 1.6 A

技术参数/输出电流(Min): 1.6 A

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 1000 mW

技术参数/输入电压: 4V ~ 5.5V

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: SOIC-8

外形尺寸/封装: SOIC-8

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: Non-Compliant

符合标准/含铅标准: Contains Lead

海关信息/ECCN代码: EAR99

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