技术参数/极性: P-CH
技术参数/耗散功率: 125W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 40 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 80A
技术参数/上升时间: 13 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 3800pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 65 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 125W (Tc)
封装参数/安装方式: Through Hole
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-262-3-1
外形尺寸/长度: 10 mm
外形尺寸/宽度: 4.4 mm
外形尺寸/高度: 9.25 mm
外形尺寸/封装: TO-262-3-1
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Not Recommended for New Designs
其他/包装方式: Tube
其他/制造应用: Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors)
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 |
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