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描述: INFINEON IPAW60R190CEXKSA1 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 26.7 A, 600 V, 0.17 ohm, 10 V, 3 V 新
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封 装: TO-220-3
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技术参数/通道数: 1

技术参数/针脚数: 3

技术参数/漏源极电阻: 0.17 Ω

技术参数/极性: N-Channel

技术参数/耗散功率: 34 W

技术参数/阈值电压: 3 V

技术参数/漏源极电压(Vds): 600 V

技术参数/漏源击穿电压: 600 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 26.7A

技术参数/上升时间: 10 ns

技术参数/输入电容(Ciss): 1400pF @100V(Vds)

技术参数/下降时间: 8 ns

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -40 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 34000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-220-3

外形尺寸/长度: 10.65 mm

外形尺寸/宽度: 4.85 mm

外形尺寸/高度: 16.15 mm

外形尺寸/封装: TO-220-3

物理参数/材质: Silicon

物理参数/工作温度: -40℃ ~ 150℃ (TJ)

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: 无铅

符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17

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