技术参数/通道数: 1
技术参数/针脚数: 4
技术参数/漏源极电阻: 1.1 Ω
技术参数/极性: N-Channel
技术参数/耗散功率: 3.3 W
技术参数/阈值电压: 2 V
技术参数/漏源极电压(Vds): 200 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 1A
技术参数/上升时间: 2 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 150pF @25V(Vds)
技术参数/额定功率(Max): 3.3 W
技术参数/下降时间: 10.4 ns
技术参数/工作温度(Max): 150 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.3W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 4
封装参数/封装: TO-261-4
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/高度: 1.8 mm
外形尺寸/封装: TO-261-4
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQT4N20LTF
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-261-4 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N20LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V
|
||
FQT4N20LTF
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-261-4 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT4N20LTF 晶体管, MOSFET, N沟道, 850 mA, 200 V, 1.1 ohm, 10 V, 2 V
|
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