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描述: thinQ! 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管,Infineon Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术,用于碳化硅肖特基势垒二极管,可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势,如提高击穿电场强度和增强导热性,从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器,Infineon
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封 装: TO-247
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包装方式: Tube
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技术参数/耗散功率: 112 W

技术参数/最大正向浪涌电流(Ifsm): 103 A

技术参数/正向电压(Max): 2.1 V

技术参数/正向电流(Max): 20 A

技术参数/工作温度(Max): 175 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 112000 mW

封装参数/安装方式: Through Hole

封装参数/引脚数: 3

封装参数/封装: TO-247

外形尺寸/长度: 16.13 mm

外形尺寸/宽度: 5.21 mm

外形尺寸/高度: 21.1 mm

外形尺寸/封装: TO-247

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tube

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

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