技术参数/耗散功率: 175W (Tc)
技术参数/漏源极电压(Vds): 55 V
技术参数/上升时间: 56 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 1775pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 28 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 175W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/材质: Silicon
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 175℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Obsolete
其他/包装方式: Rail
符合标准/RoHS标准:
符合标准/含铅标准: 无铅
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HUF75337S3S
|
Freescale (飞思卡尔) | 功能相似 |
75A ， 55V ， 0.014 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
|
|||
|
HUF75337S3S
|
Intersil (英特矽尔) | 功能相似 |
75A ， 55V ， 0.014 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
|
|||
HUF75337S3S
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
75A ， 55V ， 0.014 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 75A, 55V, 0.014 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
|
©Copyright 2013-2026 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
最有帮助的评价