技术参数/额定电压(DC): 50.0 V
技术参数/额定电流: 100 mA
技术参数/极性: NPN+PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极): 50 V
技术参数/集电极最大允许电流: 100mA
技术参数/最小电流放大倍数(hFE): 35 @5mA, 10V
技术参数/额定功率(Max): 250 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: SOT-363
外形尺寸/封装: SOT-363
其他/产品生命周期: Unknown
其他/包装方式: Cut Tape (CT)
符合标准/RoHS标准: Non-Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
海关信息/ECCN代码: EAR99
海关信息/香港进出口证: NLR
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
IMD10AT108
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ROHM Semiconductor (罗姆半导体) | 功能相似 | SC-74-6 |
IMD10A 系列 50 V 500 mA 表面贴装 双 NPN/PNP 数字晶体管 - SC-74
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MUN5311DW1T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | SC-70-6 |
ON SEMICONDUCTOR MUN5311DW1T1G. 标准恢复功率整流器
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PUMD3,115
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363 |
Nexperia PUMD3,115 双 NPN + PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:1, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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PUMD3,165
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NXP (恩智浦) | 功能相似 | SOT-363-6 |
1个NPN-预偏置,1个PNP-预偏置 100mA 50V
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