温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准
收藏
型号: FDMS3686S
描述: PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
商品二维码
封 装: Power-56-8
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
3.03  元 3.03元
5+:
¥ 4.0959
25+:
¥ 3.7925
50+:
¥ 3.5801
100+:
¥ 3.4891
500+:
¥ 3.4284
2500+:
¥ 3.3526
5000+:
¥ 3.3222
10000+:
¥ 3.2767
数量
5+
25+
50+
100+
500+
价格
4.0959
3.7925
3.5801
3.4891
3.4284
价格 4.0959 3.7925 3.5801 3.4891 3.4284
起批量 5+ 25+ 50+ 100+ 500+
  • 运费   有货 运费价格:¥13.00
  • 数量
    库存(2318) 起订量(5)
加入购物车 立即购买
欢迎使用亿配芯城AI助手
Chip AI consultant  芯片AI顾问
相关文件下载:
PDF
  • 失望
  • 一般
  • 满意
  • 喜欢
  • 超爱

技术参数/通道数: 2

技术参数/漏源极电阻: 8 mΩ

技术参数/极性: N-CH

技术参数/耗散功率: 2.5 W

技术参数/漏源极电压(Vds): 30 V

技术参数/漏源击穿电压: 30 V

技术参数/连续漏极电流(Ids): 13A/23A

技术参数/输入电容(Ciss): 1785pF @10V(Vds)

技术参数/额定功率(Max): 1 W

技术参数/工作温度(Max): 150 ℃

技术参数/工作温度(Min): -55 ℃

技术参数/耗散功率(Max): 2.2 W

封装参数/安装方式: Surface Mount

封装参数/引脚数: 8

封装参数/封装: Power-56-8

外形尺寸/长度: 5.1 mm

外形尺寸/宽度: 6.1 mm

外形尺寸/高度: 1.05 mm

外形尺寸/封装: Power-56-8

物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃

其他/产品生命周期: Active

其他/包装方式: Tape & Reel (TR)

符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant

符合标准/含铅标准: Lead Free

最有帮助的评价

  只显示带图评价

最新评价

加载更多

暂时还没有评价

期待你分享科技带来的乐趣

提问
抱歉,没有找到答案,您可以点击“提问”提交此条提问给已经购买者、Suteshop商城官方客服和产品经理,我们会及时回复。

暂时还没有提问

对商品还不太了解,问问看吧

加载更多
    暂无数据

替代料

型号 品牌 相似度 封装 简介 数据手册

最新上架产品

©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号

Scroll

对比栏

展开

对比

清空