技术参数/频率: 0Hz ~ 1GHz
技术参数/供电电流: 160 mA
技术参数/耗散功率: 1210 mW
技术参数/增益: 14.7 dB
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 1210 mW
技术参数/电源电压: 5 V
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 8
封装参数/封装: SOIC-8
外形尺寸/封装: SOIC-8
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Contains Lead
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
HMC754S8GE
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Hittite | 完全替代 | SOIC-8 |
RF Amp Chip Dual GP 1GHz 5.5V 8Pin SOIC T/R
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HMC754S8GE
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ADI (亚德诺) | 完全替代 | SOIC-8 |
RF Amp Chip Dual GP 1GHz 5.5V 8Pin SOIC T/R
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HMC754S8GETR
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Hittite | 完全替代 | SOIC-8 |
Ic Amp Mmic p-p 2CH Hbt 8soic
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