技术参数/工作电压: 6.1 V
技术参数/电容: 30 pF
技术参数/无卤素状态: Halogen Free
技术参数/针脚数: 3
技术参数/耗散功率: 225 mW
技术参数/钳位电压: 8 V
技术参数/脉冲峰值功率: 0.22 W
技术参数/最小反向击穿电压: 6.2 V
技术参数/工作温度(Max): 85 ℃
技术参数/工作温度(Min): -40 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 225 mW
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/引脚数: 3
封装参数/封装: SOT-23-3
外形尺寸/长度: 3.04 mm
外形尺寸/宽度: 1.4 mm
外形尺寸/高度: 0.94 mm
外形尺寸/封装: SOT-23-3
物理参数/工作温度: -40℃ ~ 85℃ (TA)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
其他/制造应用: 汽车级, -
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
符合标准/REACH SVHC标准: No SVHC
符合标准/REACH SVHC版本: 2015/12/17
海关信息/ECCN代码: EAR99
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Freescale (飞思卡尔) | 类似代替 | 3 |
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
ON SEMICONDUCTOR MMBZ6V2ALT1G. TVS二极管, TVS, MMBZ系列, 单向, 3 V, 8.7 V, SOT-23, 3 引脚
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California Micro Devices | 类似代替 | SOT-23-3 |
ESD 保护器，On Semiconductor ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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PACDN042Y3R
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
ESD 保护器，On Semiconductor ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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Motorola (摩托罗拉) | 类似代替 |
300W 低电容 TVS，用于高速线路保护 TVS 二极管，与补偿二极管串联，提供低于 5pF 电容 峰值功率额定值为 300W，8x20μs ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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SL05T1G
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ON Semiconductor (安森美) | 类似代替 | SOT-23-3 |
300W 低电容 TVS，用于高速线路保护 TVS 二极管，与补偿二极管串联，提供低于 5pF 电容 峰值功率额定值为 300W，8x20μs ### 瞬态电压抑制器，On Semiconductor
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