技术参数/额定功率: 3.8 W
技术参数/通道数: 1
技术参数/极性: P-Channel
技术参数/耗散功率: 3.1 W
技术参数/阈值电压: 4 V
技术参数/输入电容: 2780 pF
技术参数/漏源极电压(Vds): 100 V
技术参数/连续漏极电流(Ids): 38A
技术参数/上升时间: 63 ns
技术参数/输入电容(Ciss): 2780pF @25V(Vds)
技术参数/下降时间: 55 ns
技术参数/工作温度(Max): 175 ℃
技术参数/工作温度(Min): -55 ℃
技术参数/耗散功率(Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
封装参数/安装方式: Surface Mount
封装参数/封装: TO-263-3
外形尺寸/长度: 6.5 mm
外形尺寸/宽度: 6.22 mm
外形尺寸/高度: 2.3 mm
外形尺寸/封装: TO-263-3
物理参数/工作温度: -55℃ ~ 150℃ (TJ)
其他/产品生命周期: Active
其他/包装方式: Tape & Reel (TR)
符合标准/RoHS标准: RoHS Compliant
符合标准/含铅标准: Lead Free
| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
FQB34P10TM
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB34P10TM 晶体管, MOSFET, P沟道, -33.5 A, -100 V, 0.049 ohm, -10 V, -4 V
|
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FQB47P06TM_AM002
|
Fairchild (飞兆/仙童) | 功能相似 | TO-263-3 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB47P06TM_AM002 晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V
|
||
FQB47P06TM_AM002
|
ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263 |
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB47P06TM_AM002 晶体管, MOSFET, P沟道, 47 A, -60 V, 26 mohm, -10 V, -4 V
|
||
IRF5210SPBF
|
International Rectifier (国际整流器) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
|
||
IRF5210SPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V
|
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IRF5210STRLPBF
|
Infineon (英飞凌) | 类似代替 | TO-263-3 |
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
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IRF5210STRLPBF
|
Infineon | 类似代替 | TO-263 |
INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷
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NTB25P06T4G
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ON Semiconductor (安森美) | 功能相似 | TO-263-3 |
P 通道功率 MOSFET，30V 至 500V，ON Semiconductor ### MOSFET 晶体管，ON Semiconductor
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